13/08/2026Veri Anla Ushbu tadqiqot kremniy asosidagi tranzistorlarning kichraytirish va energiya samaradorligi boʻyicha tobora qiyinlashib borayotgan fizik chegaralariga qarshi indiy selenidlarini, ayniqsa ikki oʻlchamli InSe va In₂Se₃ materiallarini yangi avlod kam quvvatli elektronika uchun baholaydi. Ko‘proq ko‘rish
Cookie sozlamalari
Bu saytda cookie-fayllarga ruxsat berish foydalanish tajribangizni yaxshilaydi. Cookie-fayllar siyosati
Sozlamalarni moslashtirish
Bu saytda cookie-fayllarga ruxsat berish foydalanish tajribangizni yaxshilaydi.
