13/08/2026Veri Anla Bu Perspective tədqiqatı silikon əsaslı tranzistorların miqyaslanma və enerji səmərəliliyi məhdudiyyətlərinə qarşı ikiölçülü InSe və In₂Se₃ materiallarını yeni nəsil azgüclü elektronika üçün qiymətləndirir. InSe yüksək elektron hərəkətliliyi, yüksək termal daşıyıcı sürəti və aşağı effektiv elektron kütləsi ilə ultraqısa kanallı tranzistorlar üçün; In₂Se₃ isə yarımkeçiriciliklə ferroelektrik qütblənməni birləşdirdiyinə görə qeyri-uçucu yaddaş, logic-in-memory və neyromorfik qurğular üçün diqqət çəkir. Daha çox baxın
Kuki seçimləri
Your experience on this site will be improved by allowing cookies Cookie Policy
Seçimləri fərdiləşdir
Your experience on this site will be improved by allowing cookies